Cámaras de TeraHercios

Matriciales y Lineales

Los detectores se fabrican con una heteroestructura de GaAs de alta movilidad en el ciclo estándar de semiconductores utilizando litografía óptica convencional. El sensor de imágenes se fabrica en una sola oblea. Ese proceso asegura una alta homogeneidad y reproducibilidad de los parámetros del detector plasmónico (la respuesta de desviación de píxel a píxel está dentro de un rango del 20 por ciento).

Cada unidad de detección tiene una capacidad de respuesta a temperatura ambiente de hasta 50 kV / W con circuitos de lectura y potencia equivalente a ruido de 1 nW / \ sqrt {\ rm {Hz}} en el rango de frecuencia 10 GHz – 1 THz. El mecanismo de detección se basa en la excitación de las oscilaciones del plasma en un sistema electrónico bidimensional con subsiguiente rectificación. La rectificación tiene lugar en defectos especiales realizados en el sistema de electrones.

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